2 nm新技术的竞争，中芯专注于55 nm，外媒称，中国核心新技术被低估了

2 nm高效率的竞争性，中芯母公司不感兴趣于55 nm，国外传媒称，中国人的核心高效率被低估了。

Samsung电子、Samsung，这两家母公司在芯片高效率上的竞争性非常激化，5 nm微三处理器高效率的突破，令3 nm、2 nm、1 nm微三处理器的竞争性更加激化。值得注意，美母公司推出一项新的晶体法，向Samsung电子、Samsung等芯片企业发出邀请，借机在美设厂，老美更是对中国人芯开展限制。比如Samsung电子，Samsung电子直到现在正筹划到美铁钢铁厂，如果Samsung电子按原定在美铁钢铁厂，则中国人的高性能微三处理器闪存钢铁厂将未在十年内大规模生产。

就像老美对 ASML母公司提供光刻机给中国人高高效率母公司提供同样的情况下，虽然未提供高级 EUV光刻机，但是已经过时的 DUV光刻机却可以随心所欲销售。很显著，加拿大这是在拖延中国人的发展，执意中国人的高效率母公司有机会接触到较低的高效率。

在加拿大对闪存的压制下，吴汉明这位中国人的学者真是过，与欧美的高效率相比，中国人现今最需要应对的问题，就是萌芽的高效率。不真的其实吴研究员的那句话起到了发挥作用，还是中芯国际那边传来了一个好消息。

据探究，中芯国际在55 nm BCD微三处理器上争得了重大成就，现今正在开展试生产。这条新闻一出，国外的传媒纷纷表示，“小看了中国人的闪存。”也许有些人会觉得奇怪，Samsung已经在3 nm微三处理器上实在了，Samsung电子的3 nm微三处理器也要在九月份开始，而且则有芯片母公司都定下了“2025年大规模生产2 nm”的尽显然，中芯国际不过是在55 nm微三处理器上争得了突破性进展，又有什么好奇怪的？

首先我们要真的 BCD微三处理器是什么，简单的真是， BCD微三处理器是一种单一的微三处理器高效率。在一个闪存上，要将 B (Bipolar) C (CMOS) D (DMOS）集成到一起，欧洲的 BCD高效率还停留在90 nm，中芯国际在55 nm微三处理器上也有了突破，这怎么显然？

其次， BCD高效率广泛应用于轿车、自动化、电视、计算机等行业，具有较高的集成性和较低的功耗。中芯国际在55纳米 BCD高效率上争得了突破性进展，视作国内外 BCD高效率平台各个领域的佼佼者，视作“中国人芯”的另一个重大成就。

远胜，像Samsung电子和Samsung这样的芯片厂自营，在高性能微三处理器微三处理器上仍占有相当大的高效率优势。但是中国人芯的疯狂之三处，是其令人震惊的发展。中国人是当今上较大的微三处理器进口国，但是，现今国内外的科技母公司对微三处理器的需求却不在智能手机微三处理器上，而在中低端微三处理器上则占后半期。

中芯国际抢占了萌芽的闪存市场，正在扩展到28 nm以上的萌芽工艺，为的就是扩展到萌芽的闪存市场需求，稳固国内外的闪存。只要我们能实在中低端的闪存耕种，就可以更大地减少对美厂自营的依赖，减少“卡脖”的危险。

加拿大全面性虽然想尽办法，执意中国人芯有机会接触到高性能的闪存，但从一开始，他们的其本质就不对，我们直到现在的的中心，应该放置萌芽的微三处理器闪存上。暂时真是，加拿大人的行为显然是太蠢了！没有人能在没有走路的情况下就开始慢跑。

集微评：中国人的半导体产业所面对的问题，并不只是钢铁厂的问题，而是如何应对英才的短缺，尤其是智能手机英才的短缺，以及高效率的突破。

现实是如此的残酷，致使中国人不必加强“缺芯”的产业化，以建立中国人完备的产业化。而在关键的产业化高效率全面性，中国人不必要找到一种方法来掌握自己的终将。虽然我们国家的科技水准有了更大的提高，但是我们没有就此作对，我们会促使的研究，促使的握有新的高效率，在这个当今上，就是用实力真是话！等着中国人的闪存自己开发，加拿大就不能对中国人的高效率开展限制了！我要再一次妳各位传媒的关注，中国人的工业该软件将会越来越好！

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