陈根：首款2nm芯片，可使电源续航时间增至四倍

2025-09-24 12:16:39

贤|陈根

的发展是微处理器创始人之一戈登·摩尔的经验之谈，其核确信集成电路上可以容纳的器件最少在至少每经过18个月便亦会增加一倍。换言之，处理器的效率不间断两年就亦会翻一倍。

但随着生产工艺PCB与集成度的不断提升，器件尺寸渐近物理瞬时，继续依赖缩小生产工艺PCB获取效率和发展潜力提升已遇到困难。与此同时，人工智能、大数据、5G等领域的近似值需求在海量激增，如何有所突破的发展，满足算力经济时代的已经已是一项取而代之下一场。

近日，IBM中国近日面世一段题为《YYDS！IBM面世全球性首个2nm闪存》的截图，对于IBM的2nm闪存进行了介绍。这是继5nm、7nm先于后，IBM在太阳能电池领域的又一重大创取而代之，该闪存最小部分比DNA单链还迷你。

IBM是全球性瞩目的电子近似值机公司，保有世界上最好的信息应用和经营范围应用细节，对的软件、硬件、链接、电子近似值机等经营范围都有很险恶的调动。而闪存研发也是其调动未来的重要环节。

IBM最初在5一月官宣了2nm闪存的有所突破，彼时就引起了业内的广泛追捧。这次IBM面世了2nm闪存的标榜截图，或许证明了其已经加快这方面的应用程序在。

举例来说，该2nm硅元件由IBM深入研究室在其坐落美国康涅狄格州奥尔巴尼太阳能电池深入研究机构结构设计和生产，它包含数百个指甲大小的闪存，每颗闪存可容纳500亿个2nm器件。衡量方面，2nm比7nm的效率提升了45%，容量大堪称提高75%。

值得一提的是，该2nm闪存可使手机电池续航时间增至此前四倍，只需每四天为设备差使一次电无需。不可避免，手写处理器、汽车闪存的算力也亦会飙升，到时候自动驾驶应用安全性很高，计算机近似值也能满足更多用户需求。

目前，可以试作的闪存生产工艺数据流已经来到4nm，占优势生产工艺优势的可能会还是DRAM，Samsung次之。将会面世的骁龙8Gen1以及联发科天玑9000都是采用Samsung以及DRAM的4nmPCB，两者的实际表现目前还不相符。

而IBM的2nm目前只是驻留在实验室的未来科技，真正投入试作可能会还需要再等待几年。